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RFMD宣布推出两款最新的射频开关RF1200和RF1450

发布时间:2018-08-19 12:43| 位朋友查看

简介:RFMD近日宣布在美国加利福尼亚举行的IEEERadioandWirelessconference(IEEE射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关——RF1200和RF1450。此次IEEE射频无线会议于……
      RFMD近日宣布在美国加利福尼亚举行的IEEE Radio and Wireless conference(IEEE射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关——RF1200和RF1450。此次IEEE射频无线会议于元月9~11日举行。 

      RF1200和RF1450利用RFMD业界领先的GaAs生产工艺生产,并将进一步推进用于RFMD传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模GSM/WCDMA蜂窝手机、天线调谐器、IEEE802.11a/b/g WLAN和蜂窝基础设施等的前端器件。 

      RF1200为一款单刀双掷(SPDT)大功率开关,可满足WCDMA产品的所有线性要求,具有插入损耗低、控制电压低、杂散特性好等优点。RF1200采用0.5μm GaAs pHEMT工艺制成,采用2×2mm的无铅QFN封装,共有6个引脚。 

      RF1450为一款单刀四掷(SP4T)大功率开关,设计用于多模WCDMA产品,可提供极佳的线性性能。RF1450内含集成解码逻辑,仅需两路控制线便可实现开关控制。RF1450采用紧凑的3×3×0.6mm的无铅QFN封装,共有16个引脚。 

      RF1200具有以下特点: 

      - 插入损耗低,0.35dB@1GHz 

      - 隔离性能好,25dB@2.2 GHz 

      - 控制电压低,2.6V至5.0V 

      - 杂散波:-80dBc@1GHz 

      - 采用GaAs pHEMT工艺生产 

      RF1450具有以下特点: 

      - 插入损耗低,最大仅为0.60dB 

      - 隔离性能好,15dB@2.2GHz 

      - 控制电压低,2.6V至5.0V 

      - 杂散波:-75dBc@1GHz 

      - 采用GaAs pHEMT工艺生产 

      RFMD RF1200和RF1450现已开始量产。订购数量为10,000件时,RF1200为每件0.59美元,RF1450为每件1.19美元。

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