当前位置:主页 > 查看内容

东芝发布8Gb/16Gb NAND闪存,采用56nm工艺制造

发布时间:2018-08-19 12:36| 位朋友查看

简介:东芝公司(Toshiba)不久前宣布推出和美国SanDisk公司共同开发的采用最先进56nm工艺的16Gb(2gigabyte)、8Gb(1gigabyte)的NAND闪存。16Gb是单芯片的业内最大容量。……
      东芝公司(Toshiba)不久前宣布推出和美国SanDisk公司共同开发的采用最先进56nm工艺的16Gb(2gigabyte)、8Gb(1gigabyte)的NAND闪存。16Gb是单芯片的业内最大容量。 
      本次新产品采用多级单元技术(MLC)和改进的编程效率,实现了高容量和高写入性能。采用56nm工艺,实现了上一代产品(8Gb 70nm工艺)2倍的NAND闪存业内单芯片最大容量的16Gb产品。而且一次处理的数据(页面)达到数倍增长,写入速度也达到了以往MLC产品2倍的10MB/秒,同时实现了大容量化和高速化。

      东芝公司今后将继续微细加工、多值化的新技术开发,同时也将不断增强设备、改善生产效率,确保满足NAND闪存市场需求的供应能力和成本竞争力。

新产品的主要特征:

采用最先进的56nm工艺和可以提高每个器件数据保存容量的多级单元技术(MLC)等,单芯片的容量达到上一代产品(8Gb 70nm工艺)的2倍。 
除了微细加工效果以外,还引进以下高速写入技术。 
一次写入页面大小从原来的2,112byte增加到2倍4,314byte 
采用降低数据待处理、高速化的写入缓冲功能 
通过以上功能,实现相当于以往产品(多值)2倍的10MB/秒的高速写入速度。

新产品的主要规格: 

      TC58NVG3D1DTG00容量为8Gb,电源电压为2.7V~3.6V,页面大小为4096+218byte,编程时间为800微秒/页(Typ.),消除时间2毫秒/块(Typ.),访问时间50微秒(1st);TC58NVG4D1DTG00容量为16Gb,电源电压为2.7V~3.6V,页面大小为4096+218byte,编程时间为800微秒/页(Typ.),消除时间2毫秒/块(Typ.),访问时间30纳秒(串联)。两款产品均采用48pin TSOP TypeI封装,外形尺寸为12×20×1.2mm。(注:以上产品型号适用于日本市场。)

      东芝从2007年1月开始量产目前市场上主流的8GbNAND闪存,同时也计划从2007年第2季度的早期开始量产16Gb NAND闪存。继2006年底开始出厂开发样品后,现开始将陆续出厂产品样品。16Gb NAND闪存样品于2007年第1季度开始提供。

推荐图文

  • 周排行
  • 月排行
  • 总排行

随机推荐