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Zetex 推出三款N 沟道增强模式MOSFET

发布时间:2018-08-19 12:36| 位朋友查看

简介:Zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式MOSFET。这三款新产品分别为20V的ZXMN2B03E6(SOT236封装)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(两者均为SOT23封装)……
Zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。 
这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 (SOT236封装)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(两者均为SOT23封装)。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。
三款新 MOSFET可确保1.8VGS 条件下的导通电阻 (RDS(ON) ) 分别低于75毫欧(m?)、100毫欧(m?)和200毫欧(m?),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是Zetex专有UMOS技术的另一个主要功能。例如ZXMN2B01F在VGS = 4.5V和ID = 1A的情况下,上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。

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