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RAMTRON业界首个4兆位非易失性FRAM存储器

发布时间:2018-08-19 12:08| 位朋友查看

简介:世界顶尖的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器,这是目前最高……
  
  世界顶尖的非易失性铁电存储器 (FRAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位 (Mb) FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM,具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容,并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统,以及许多以SRAM为基础的系统设计。 

  产品特点 
  FM22L16是256K×16非易失性存储器,采用工业标准并行接口实现存取,存取的时间为55ns,周期为110ns。该器件以“无延迟” (NoDelay?) 写入的总线速度进行读写操作,耐久性至少为1e14 (100万亿)次写入和10年的数据保存能力。 
  这种4Mb FRAM是标准异步SRAM完全替代器件,但其性能却优越很多,因为它在进行数据备份时毋需电池,并且具有单片芯片方式固有的高可靠性。FM22L16是真正的表面安装解决方案,与SRAM不同的是它不在需要电池而且具有很高的耐潮湿、抗冲击和振动特性。 
  FM22L16备有便于与现今高性能微处理器相连的接口,兼具高速页面模式,可以高达40MHz的速度进行4字节Burst读/写操作,这比普通RAM的总线速度高出很多。该器件较标准SRAM具有更低的工作电流,读/写操作时为18mA,在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM22L16在整个工业温度范围内 (-40℃至+85℃)于2.7V至3.6V电压工作。要了解有关FM22L16更详细的信息,请访问公司网站 。 
  关于德州仪器的高级130纳米 (nm) FRAM工艺 
  FM22L16以德州仪器公认及先进的130nm CMOS制造工艺为基础。在标准CMOS 130nm逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅使用了两个额外的掩模步骤。德州仪器和Ramtron在今天发布的另一份新闻稿中,详细描述了其商用制造的安排,以及针对Ramtron的FRAM产品而设德州仪器 130nm工艺的情况。 

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